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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBF2201NT1
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MMBF2201NT1

更新时间： 2024-09-29 21:53:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323

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MMBF2201NT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.17配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A
最大漏极电流 (ID)：0.3 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBF2201NT1 数据手册

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MMBF2201NT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
300 mAmps, 20 Volts  
N–Channel SC–70/SOT–323  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in small power management circuitry. Typical applications are  
dc–dc converters, power management in portable and  
battery–powered products such as computers, printers, PCMCIA  
cards, cellular and cordless telephones.  
http://onsemi.com  
300 mAMPS  
20 VOLTS  
• Low R  
DS(on)  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
R
= 1 W  
DS(on)  
• Miniature SC–70/SOT–323 Surface Mount Package Saves  
N–Channel  
Board Space  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Gate–to–Source Voltage – Continuous  
Drain Current  
Symbol  
V
Value  
20  
Unit  
Vdc  
DSS  
1
V
GS  
± 20  
Vdc  
mAdc  
– Continuous @ T = 25°C  
I
I
300  
240  
750  
A
D
D
2
– Continuous @ T = 70°C  
A
I
– Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
DM  
p
MARKING  
DIAGRAM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
(Note 1.)  
Derate above 25°C  
P
D
A
150  
1.2  
mW  
mW/°C  
3
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
– 55 to  
150  
°C  
SC–70/SOT–323  
CASE 419  
J
stg  
N1  
W
STYLE 8  
Thermal Resistance – Junction–to–Ambient  
R
833  
260  
°C/W  
°C  
θJA  
1
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, for 10 seconds  
T
L
W
= Work Week  
1. Mounted on G10/FR4 glass epoxy board using minimum recommended  
footprint.  
PIN ASSIGNMENT  
3 Drain  
Gate 1  
2 Source  
Top View  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MMBF2201NT1  
Package  
Shipping  
SC–70/  
SOT–323  
3000 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 3  
MMBF2201NT1/D  
12345678

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MMBF2201NT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBF2201NT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323
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