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MMBF4093

更新时间： 2024-11-26 11:12:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 192K
描述
N 沟道开关

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MMBF4093 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：0.82配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：80 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

MMBF4093 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Switch, N-Chanel  
MMBF4093  
G
S
D
Features  
SOT−23  
CASE 318−08  
• This Device is Designed for Low Level Analog Switching  
Applications, Sample and Hold Circuits and Chopper Stabilized  
Amplifiers.  
Note: Source & Drain are interchangeable  
• Sourced from Process 51.  
• This is a Pb−Free and a Halide Free Device  
MARKING DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1), (Note 2)  
61L M G  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
G
Symbol  
Parameter  
Drain−Gate Voltage  
Value  
Unit  
V
1
V
V
40  
−40  
DG  
GS  
GF  
61L = Specific Device Code  
Gate−Source Voltage  
V
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
I
Forward Gate Current  
50  
mA  
°C  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to + 150  
J
STG  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty cycle operations.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
3000 / Tape and Real  
MMBF4093  
SOT−23  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Symbol  
Characteristic  
Total Device Dissipation  
Max  
350  
2.8  
Unit  
mW  
P
D
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 3)  
357  
3. Device mounted on FR−4 PCB 1.6”   1.6”   0.06”.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
July, 2022 − Rev. 2  
PN4093/D  
 
12345

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