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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.53 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170 | ONSEMI |
类似代替  |
N 沟道增强型场效应晶体管 |
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| MMBF170LT3G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
|
| MMBF170LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
|
| MMBF170LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
|
| MMBF170Q | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| MMBF170Q-13-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| MMBF170Q-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| MMBF2201NT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
|
| MMBF2201NT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 |
|
| MMBF2201NT1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 |
|
| MMBF2201NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 |
|
| MMBF2201PT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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