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2N7002,215

更新时间： 2024-11-21 14:39:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	165K
描述
2N7002 - 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin

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2N7002,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002,215 数据手册

2N7002

T23

60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 7 — 8 September 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Suitable for logic level gate drive

 Surface-mounted package

 Trench MOSFET technology

sources

 Very fast switching

1.3 Applications

 Logic level translators

 High-speed line drivers

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

I_D

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C; see Figure 1;

see Figure 3

300

P_tot

total power dissipation T_sp= 25 °C; see Figure 2

0.83

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA; T_j= 25 °C;

see Figure 6; see Figure 8

2.8

Ω

2. Pinning information

Table 2.

Pinning information

Symbol Description

Simplified outline

Graphic symbol

gate

source

drain

mbb076

SOT23 (TO-236AB)

12 3 4 5 6 7...13

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2N7002,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7002ET1G	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23
2N7002LT1G	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
MMBF170LT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 500 mA, 60 V

与2N7002,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7002/D87Z	TI	获取价格	115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/E8	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7002/L99Z	TI	获取价格	115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/S62Z	TI	获取价格	115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3,
2N7002_	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002_04	SUPERTEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002_07	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7002_07	PANJIT	获取价格	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2N7002_08	BL Galaxy Electrical	获取价格	Small Signal MOSFET Transistor

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