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2N7002ET1G

更新时间： 2024-11-18 06:15:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
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5页 100K
描述
Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23

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2N7002ET1G 数据手册

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2N7002E  
Small Signal MOSFET  
60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Small Footprint Surface Mount Package  
• Trench Technology  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(Note 1)  
(BR)DSS  
60 V  
3.0 W @ 4.5 V  
2.5 W @ 10 V  
310 mA  
Applications  
• Low Side Load Switch  
• Level Shift Circuits  
• DC−DC Converter  
Simplified Schematic  
• Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.  
N−Channel  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
1
V
±20  
V
GS  
Drain Current (Note 1)  
Steady State  
I
mA  
D
T = 25°C  
A
260  
190  
A
2
T = 85°C  
(Top View)  
t < 5 s  
T = 25°C  
A
310  
220  
A
T = 85°C  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation (Note 1)  
Steady State  
t < 5 s  
P
mW  
D
300  
420  
3
Drain  
Pulsed Drain Current (t = 10 ms)  
I
1.2  
A
3
p
DM  
1
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
2
703 W  
SOT−23  
Source Current (Body Diode)  
I
300  
260  
mA  
S
CASE 318  
STYLE 21  
1
2
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
Gate  
Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
703  
W
= Device Code  
= Work Week  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient − Steady State  
(Note 1)  
R
q
JA  
417  
°C/W  
2N7002ET1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s (Note 1)  
R
300  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in  
sq [1 oz] including traces)  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
April, 2007 − Rev. 1  
2N7002E/D  
 
12345

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2N7002ET1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N7002 ONSEMI

类似代替

 N沟道增强模式场效应晶体管60V，0.115A，7.5Ω
2V7002LT1G ONSEMI

类似代替

 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N.Channel SOT.23
BSS123LT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

与2N7002ET1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002E-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
2N7002ET3G ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
2N7002EU ANBON

获取价格

 		SOT-723
2N7002EW ANBON

获取价格

 		SOT-323
2N7002EW-Q1 ANBON

获取价格

 		SOT-323
2N7002EY ANBON

获取价格

 		SOT-23
2N7002EY-Q1 ANBON

获取价格

 		SOT-23
2N7002F NXP

获取价格

 		TrenchMOS Logic Level FET
2N7002F2 YANGJIE

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7002F215 NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench

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