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2N7002H

更新时间： 2024-02-10 23:17:07

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安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	278K
描述
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

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2N7002H 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	Base Number Matches：	1
类别：	Diodes	配置：	Single
Channel Polarity：	N	ESD：	Y
Max PD(W)：	0.35	Min PD(W)：	60
Max VGS (V)：	±20	Max ID(A)：	0.3
Max IGSS(uA)：	±10	Max VGS(th) (V)：	2.5
RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ：	1450	RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max：	2500
AEC Qualified：	NO	最高工作温度：	150
最低工作温度：	-55	MSL等级：	1
生命周期：	Active	是否无铅：	Yes
符合Reach：	Yes	符合RoHS：	Yes
ECCN代码：	EAR99	Package Outlines：	SOT-23

2N7002H 数据手册

2N7002H

60 V, N-channel Trench MOSFET

1 December 2021

Product data sheet

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

•

Logic-level compatible

•

Very fast switching

Trench MOSFET technology

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Relay driver

High-speed line driver

Low-side load switch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_DS

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_amb= 25 °C

V_GS

-20

I_D

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

[1]

360

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA; T_j= 25 °C

1.6

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...15

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与2N7002H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002H-7	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7002HE	Galaxy Microelectronics	0.4A, 60V, 0.5W, N Channel, Small Signal MOSFETs	获取价格
2N7002-HF	COMCHIP	MOSFET	获取价格
2N7002HL	Galaxy Microelectronics	0.3A, 60V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs	获取价格
2N7002HS	NEXPERIA	60 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction	获取价格
2N7002HT	Galaxy Microelectronics	0.3A, 60V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs	获取价格