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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.115 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7002FT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC, SOT-23, 3 |
|
| 2N7002-G | COMCHIP |
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MOSFET |
|
| 2N7002-G | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| 2N7002-G_12 | COMCHIP |
获取价格 |
MOSFET |
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| 2N7002G-AE2-R | UTC |
获取价格 |
0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 2N7002G-AE2-R | AMS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 2N7002G-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N7002G-AL6-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2N7002GP | CHENMKO |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N7002GP-A | CHENMKO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
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