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2N7002G-AE2-R

更新时间： 2024-02-02 00:13:22

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奥地利微 - AMS		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	576K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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2N7002G-AE2-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002G-AE2-R 数据手册

AMS 2N7002

N-CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION

The AMS 2N7002 has been designed to minimize on-state

resistance while provide rugged, reliable, and fast switching

performance. It can be used in most applications requiring up to

400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. The product

is particularly suited for low voltage, low current applications such

as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and

other switching applications

SOT-23-3

FEATURES

* High Density Cell Design for Low R_DS(ON)

* Voltage Controlled Small Signal Switch

* Rugged and Reliable

* High Saturation Current Capability

SYMBOL

3.Drain

2.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Pin Assignment

Ordering Number

2N7002G-AE2-R

Package

Packing

Tape Reel

SOT-23-3

2N7002G-AE2-R

(1)PackingType

(2)Package Type

(3)Halogen Free

(1)R:Tape Reel

(2)AE2:SOT-23-3

(3)G:HalogenFree

MARKING

3PG

7002k

SOT-23-3

Advanced Monolithic Systems http://www.ams-semitech.com

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N7002G-AL6-R	UTC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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