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2N7002G-AE2-R

更新时间： 2024-11-21 07:15:51

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友顺 - UTC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	281K
描述
0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N7002G-AE2-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002G-AE2-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2N7002

Power MOSFET

0.3A, 60V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 2N7002 uses advanced technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

FEATURES

* High Density Cell Design for Low R_DS(ON)

* Voltage Controlled Small Signal Switch

* Rugged and Reliable

* High Saturation Current Capability

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

2N7002L-AE2-R

2N7002G-AE2-R

SOT-23-3

Tape Reel

MARKING

G: Halogen Free

L: Lead Free

www.unisonic.com.tw

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QW-R206-037,K

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