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2N7002FT/R

更新时间： 2024-01-30 15:01:17

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	84K
描述
TRANSISTOR 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2N7002FT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.05
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.475 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002FT/R 数据手册

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2N7002F

N-channel TrenchMOS FET

Rev. 03 — 28 April 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using

TrenchMOS technology.

1.2 Features

■ Logic level threshold compatible

■ Surface-mounted package

■ Very fast switching

■ TrenchMOS technology

1.3 Applications

■ Logic level translator

■ High-speed line driver

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 60 V

■ R_DSon≤ 2 Ω

■ I_D≤ 475 mA

■ P_tot≤ 0.83 W

2. Pinning information

Table 1:

Pinning

Pin

1

Description

gate (G)

Simpliﬁed outline

Symbol

D

S

3

2

source (S)

drain (D)

3

G

1

2

mbb076

SOT23

12 3 4 5 6 7...12

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与2N7002FT/R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002-G	COMCHIP	MOSFET	获取价格
2N7002-G	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7002-G_12	COMCHIP	MOSFET	获取价格
2N7002G-AE2-R	UTC	0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N7002G-AE2-R	AMS	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
2N7002G-AE3-R	UTC	Transistor	获取价格

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