BSS123LT1G

更新时间： 2024-11-19 21:53:23

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	61K
描述
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS123LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	0.44	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.17 A
最大漏极电流 (ID)：	0.17 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS123LT1G 数据手册

BSS123LT1

Preferred Device

Power MOSFET

170 mAmps, 100 Volts

N−Channel SOT−23

http://onsemi.com

Features

• Pb−Free Packages are Available

170 mAMPS

100 VOLTS

R_DS(on)= 6 W

N−Channel

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain−Source Voltage

Symbol

Value

Unit

DSS

100

Vdc

Gate−Source Voltage

− Continuous

GSM

±20

±40

Vdc

Vpk

− Non−repetitive (t ≤ 50 ms)

Drain Current

− Continuous (Note 1)

− Pulsed (Note 2)

Adc

0.17

0.68

MARKING

DIAGRAM

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board

= Device Code

= Date Code

(Note 3) T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

556

°C/W

PIN ASSIGNMENT

Drain

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain

current.

2. Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.

3. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

Gate

Source

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

March, 2005 − Rev. 5

BSS123LT1/D

12 3 4

中文翻译

下载PDF

BSS123LT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDN359BN	ONSEMI	类似代替	N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，2.7A，46mΩ
2N7002LT1G	ONSEMI	类似代替	Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
BSS123LT1	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

与BSS123LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS123LT3	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
BSS123LT3G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
BSS123-MR	ETC	获取价格	MOSFET BSS123 MINIREEL 500PCS
BSS123N	INFINEON	获取价格	所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。
BSS123NH6433XTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123Q	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS123-Q1	ANBON	获取价格	SOT-23
BSS123Q-13-F	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS123Q62702-S512	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET
BSS123Q-7-F	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与BSS123LT1G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSS123LT1G

BSS123LT1G 技术参数

BSS123LT1G 数据手册

BSS123LT1G 替代型号

与BSS123LT1G相关器件

与BSS123LT1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSS123LT1G

BSS123LT1G 技术参数

BSS123LT1G 数据手册

BSS123LT1G 替代型号

与BSS123LT1G相关器件

与BSS123LT1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？