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BSS123-MR

更新时间： 2024-02-10 17:49:13
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 过程控制系统PCS
页数 文件大小 规格书
10页 287K
描述
MOSFET BSS123 MINIREEL 500PCS

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BSS123-MR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：18 weeks 3 days风险等级：1.53
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：0.17 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS123-MR 数据手册

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September 1996  
BSS100 / BSS123  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V.  
These N-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance. This product is particularly suited to low  
voltage, low current applications, such as small servo  
motor controls, power MOSFET gate drivers, and other  
switching applications.  
BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON) = 6W @ VGS = 10V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
.
_______________________________________________________________________________  
D
G
BSS100  
BSS123  
S
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
BSS100  
Symbol  
Parameter  
BSS123  
Units  
V
VDSS  
Drain-Source Voltage  
100  
100  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 20KW)  
VGSS  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 14  
± 20  
V
- Non Repetitive (TP < 50 mS)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
ID  
0.22  
0.9  
0.17  
0.68  
0.36  
A
PD  
Total Power Dissipation @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.63  
W
°C  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
Thermal Resistacne, Junction-to-Ambient  
200  
350  
°C/W  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
BSS100 Rev. F1 / BSS123 Rev. F1  
1234567...10

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