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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks 3 days | 风险等级： | 1.53 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS123W_0711 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS123W_1 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS123W-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS123W-7-F | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS123WF2 | YANGJIE |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| BSS123WQ | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS123X | YANGJIE |
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SOT-563 |
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| BSS123Z | UTC |
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N-CH |
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| BSS124 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) |
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| BSS124E6288 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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