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BSS123WF2

更新时间： 2024-11-18 19:14:51

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扬杰 - YANGJIE		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	599K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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BSS123WF2 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS123WF2 数据手册

RoHS

COMPLIANT

BSS123W

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

100V

● I_D

200mA

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

＜5.0ohm

＜5.5ohm

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● Voltage controlled small signal switch

● High density cell design for low R_DS(ON)

● Fast Switching Speed

Applications

● Small servo motor control

● Power MOSFET gate drivers

● Switching application

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

100

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

±20

T_A=25℃ @ Steady State

T_A=70℃ @ Steady State

200

160

I_D

℃/ W

℃

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation @ T_A=25℃

I_DM

800

350

P_D

Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

357

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

BSS123

B123.

3000

30000

120000

7“ reel

1 / 6

S-S1965

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

Rev.2.0,25-Dec-18

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS123WQ	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS123X	YANGJIE	获取价格	SOT-563
BSS123Z	UTC	获取价格	N-CH
BSS124	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
BSS124E6288	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS125	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
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