BSS126

更新时间： 2024-11-18 03:22:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	237K
描述
SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor

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BSS126 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.021 A	最大漏极电流 (ID)：	0.021 A
最大漏源导通电阻：	500 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1.5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS126 数据手册

BSS126

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

600

700

• N-channel

• Depletion mode

R _DS(on),max

I _DSS,min

Ω

0.007 A

• dv /dt rated

• Available with V_GS(th)indicator on reel

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

PG-SOT-23

Type

Package

Ordering Code Tape and Reel Information

Marking

SHs

BSS126⁰⁾

PG-SOT-23 Q67042-S4300

E6327: 3000 pcs/reel

E6906: 3000 pcs/reel

SHs

sorted in V _GS(th)bands¹⁾

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

Continuous drain current

0.021

0.017

0.085

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

T _A=25 °C

Pulsed drain current

Reverse diode dv /dt

Gate source voltage

I _D=0.016 A,

_DS=20 V,

kV/µs

di /dt =200 A/µs,

_j,max=150 °C

±20

ESD sensitivity (HBM) as per

MIL-STD 883

Class 1

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

0.50

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 150

55/150/56

°C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

⁰⁾also available in non Pb-free on request

¹⁾see table on next page and diagram 11

Rev. 1.3

page 1

2006-06-14

12 3 4 5 6 7...9

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BSS126 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS126H6906	INFINEON	完全替代	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126L6327	INFINEON	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6327	INFINEON	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与BSS126相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS126_09	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS126E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126E6906	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6327XTSA2	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6906	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126I	INFINEON	获取价格	英飞凌是少数向全球提供耗尽型晶体管 MOSFET 的制造商之一。应用范围包括供电电源启动电
BSS126L6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127	INFINEON	获取价格	SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor
BSS127	UTC	获取价格	0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR

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