5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSS127H6327
BSS127H6327 PDF预览

BSS127H6327

更新时间： 2024-11-21 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 250K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSS127H6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：0.021 A
最大漏源导通电阻：600 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1.5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS127H6327 数据手册

 浏览型号BSS127H6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS127H6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS127H6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS127H6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS127H6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS127H6327的Datasheet PDF文件第7页 
BSS127  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
600  
V
Ω
A
• n-channel  
R DS(on),max  
I D  
500  
• enhancement mode  
0.021  
• Logic level (4.5V rated)  
• dv /dt rated  
PG-SOT-23  
• 100%lead-free; RoHS compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Pb-free  
Halogen-free Tape and Reel Information  
Yes H6327: 3000PCS/reel  
Marking  
BSS127  
PG-SOT-23 Yes  
SIs  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
I D=0.021 A,  
Continuous drain current  
0.021  
0.017  
0.09  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
Pulsed drain current  
V
DS=480 V,  
di /dt =200 A/µs,  
j,max=150 °C  
Reverse diode dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
Gate source voltage  
±20  
ESD class (JESD22-A114-HBM)  
Power dissipation  
0 (<250)  
0.50  
P tot  
T A=25 °C  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 2.01  
page 1  
2010-05-07  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

BSS127H6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS127L6327 INFINEON

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127 INFINEON

功能相似

 SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor

与BSS127H6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS127H6327XTSA2 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127I INFINEON

获取价格

 		N-沟道增强模式 MOSFET BSS127I 采用 SOT-23-3 封装，其特性为 V
BSS127L6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127L6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127L-AE2-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
BSS127L-AE3-R UTC

获取价格

 		0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR
BSS127S DIODES

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS127S-7 DIODES

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS127SSN DIODES

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET
BSS127V RECTRON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,

与BSS127H6327相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证