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BSS127H6327

更新时间： 2024-01-25 07:54:22
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 250K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS127H6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：0.021 A
最大漏源导通电阻：600 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1.5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS127H6327 数据手册

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BSS127  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
600  
V
Ω
A
• n-channel  
R DS(on),max  
I D  
500  
• enhancement mode  
0.021  
• Logic level (4.5V rated)  
• dv /dt rated  
PG-SOT-23  
• 100%lead-free; RoHS compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Pb-free  
Halogen-free Tape and Reel Information  
Yes H6327: 3000PCS/reel  
Marking  
BSS127  
PG-SOT-23 Yes  
SIs  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
I D=0.021 A,  
Continuous drain current  
0.021  
0.017  
0.09  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
Pulsed drain current  
V
DS=480 V,  
di /dt =200 A/µs,  
j,max=150 °C  
Reverse diode dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
Gate source voltage  
±20  
ESD class (JESD22-A114-HBM)  
Power dissipation  
0 (<250)  
0.50  
P tot  
T A=25 °C  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 2.01  
page 1  
2010-05-07  
1234567...9

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BSS127H6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS127L6327 INFINEON

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 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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