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BSS131

更新时间: 2024-01-11 02:35:29
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

BSS131 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.1
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:240 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:16 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS131 数据手册

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