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BSS135E6327

更新时间: 2024-11-25 14:50:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 834K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

BSS135E6327 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.3Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):0.08 A最大漏源导通电阻:60 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSS135E6327 数据手册

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