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BSS138

更新时间： 2024-01-13 23:21:33
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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BSS138 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.55
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BSS138 数据手册

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May 1995  
BSS138  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
0.22 A, 50V. RDS(ON) = 3.5W @ VGS = 10V.  
These N-Channel enhancement mode field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. These products  
have been designed to minimize on-state resistance  
while provide rugged, reliable, and fast switching  
performance. These products are particularly suited for  
low voltage, low current applications such as small  
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and  
other switching applications.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
Rugged and Relaible  
Compact industry standard SOT-23 surface mount  
package.  
_______________________________________________________________________________  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
BSS138  
50  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
Drain-Source Voltage  
50  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 20KW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 20  
± 40  
V
VGSS  
- Non Repetitive (TP < 50 µS)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
0.22  
0.88  
A
ID  
Maximum Power Dissipation  
Derate Above 25°C  
0.36  
W
mW/°C  
°C  
PD  
2.8  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
300  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
°C/W  
R
JA  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
BSS138 Rev. A1  
12345

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BSS138 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS138TA DIODES

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS138LT3G ONSEMI

功能相似

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BSS138LT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 200 mA, 50 V

与BSS138相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS138/D87Z TI

获取价格

 		TRANSISTOR 220 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpos
BSS138/L99Z TI

获取价格

 		220mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS138/S62Z TI

获取价格

 		TRANSISTOR 220 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpos
BSS138_08 DIODES

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138_1 DIODES

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138_11 UTC

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 		N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
BSS138_14 PANJIT

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BSS138_15 GOOD-ARK

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 		50V N-Channel MOSFET
BSS138_15 UTC

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 		N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
BSS138_17 DIODES

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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