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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS138 (KSS138) | KEXIN |
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N-Channel MOSFET |
|
| BSS138/D87Z | TI |
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TRANSISTOR 220 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpos |
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| BSS138/L99Z | TI |
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220mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| BSS138/S62Z | TI |
获取价格 |
TRANSISTOR 220 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpos |
|
| BSS138_08 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS138_1 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS138_11 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
|
| BSS138_14 | PANJIT |
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50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
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| BSS138_15 | GOOD-ARK |
获取价格 |
50V N-Channel MOSFET |
|
| BSS138_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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