BSS138_NL

更新时间： 2024-11-25 12:26:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	126K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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BSS138_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.22 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS138_NL 数据手册

October 2005

BSS138

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

General Description

These N-Channel enhancement mode field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

high cell density, DMOS technology. These products

have been designed to minimize on-state resistance

while provide rugged, reliable, and fast switching

performance.These products are particularly suited for

low voltage, low current applications such as small

servo motor control, power MOSFET gate drivers, and

other switching applications.

• 0.22 A, 50 V. R_DS(ON)= 3.5Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 6.0Ω @ V_GS= 4.5 V

• High density cell design for extremely low R_DS(ON)

• Rugged and Reliable

• Compact industry standard SOT-23 surface mount

package

SOT-23

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

±20

I_D

(Note 1)

0.22

0.88

Maximum Power Dissipation

Derate Above 25°C

0.36

P_D

mW/°C

2.8

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

−55 to +150

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/16” from Case for 10 Seconds

300

350

Thermal Characteristics

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1)

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

BSS138

7’’

8mm

3000 units

BSS138 Rev C(W)

2005 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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BSS138_NL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS138	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
BSS138LT3G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 200 mA, 50 V
BSS138LT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 200 mA, 50 V

与BSS138_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS138-13-F	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS138-7	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138-7-F	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138A	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138AHE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138AKA	NEXPERIA	获取价格	60 V, single N-channel Trench MOSFETProduction
BSS138AKDW	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138AKDWHE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138AKDW-TPQ2	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS138AKM-Q	NEXPERIA	获取价格	60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

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