BSS138-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的N-CHANNEL增强型MOSFET，采用SOT23封装。这款MOSFET以其低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电子设备中。

产品特性

低导通电阻：提高能效和热性能。

低栅极阈值电压：便于驱动。

低输入电容：减少开关损耗，提高开关速度。

快速开关速度：适用于高频应用。

低输入/输出泄漏：提高可靠性和效率。

完全无铅且符合RoHS标准：环保且符合现代制造标准。

无卤素和锑的“绿色”设备：减少有害物质。

符合AEC-Q101标准的高可靠性：适用于汽车电子。

PPAP能力：生产部件批准流程。

机械数据

封装类型：SOT23，小型化塑料封装。

UL阻燃等级：94V-0。

湿度敏感度等级：1级，符合J-STD-020标准。

终端连接：镀锡合金42引线框架，符合MIL-STD-202标准方法208。

订购信息

BSS138-7-F：商业级，3000/卷带包装。

BSS138-13-F：商业级，10000/卷带包装。

BSS138Q-7-F：汽车级，3000/卷带包装。

电气特性

最大额定值：

漏源电压(VDSS)：50V。

栅漏电压(RGS)：≤ 20kΩ。

栅源电压(VGSS)：±20V。

连续漏电流(ID)：200mA。

脉冲漏电流(IDM)：1A(10μs脉冲，占空比1%)。

热特性：

功率耗散(PD)：300mW。

结到环境的热阻(RθJA)：417℃/W。

工作和存储温度范围：-55℃至+150℃。

电气特性：

关断特性(OFF CHARACTERISTICS)：

漏源击穿电压(BVDSS)：50V至75V。

零栅极电压漏源电流(IDSS)：小于或等于0.5μA。

栅体漏电流(IGSS)：±100nA。

开启特性(ON CHARACTERISTICS)：

栅阈值电压(VGS(TH))：0.5V至1.5V。

静态漏源导通电阻(RDS(ON))：1.4Ω至3.5Ω。

前向跨导(gFS)：100mS。

动态特性：

输入电容(Ciss)：50pF。

输出电容(Coss)：25pF。

反向传输电容(Crss)：8.0pF。

开关特性：

导通延迟时间(tD(ON))：20ns。

关断延迟时间(tD(OFF))：20ns。

典型应用曲线

数据手册提供了包括漏源电流与漏源电压、转移特性、结温与导通电阻、栅阈值电压变化与环境温度、漏源导通电阻与漏电流等的典型应用曲线。

封装尺寸

提供了SOT23封装的详细尺寸，包括最小值、最大值和典型值。

结论

BSS138-13-F是一款高性能的N-CHANNEL MOSFET，适用于需要高可靠性和环保标准的商业和汽车应用。通过详细解读其数据手册，工程师可以更好地理解其电气特性、热性能和机械规格，从而在设计中做出恰当的选型和应用。

注意：本文基于提供的数据手册内容进行解读，具体产品规格和应用建议应以制造商的最新资料为准。