WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间:2025-04-29 20:55:03
无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
NCE40H12I | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:TO-251; | ||
NCEP1520 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220; | ||
NCE1503S | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:8-SOIC; | ||
NCE82H110 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:TO-220; | ||
NCE8290AC | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220; | ||
NCE4080D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:TO-263-2L; | ||
NCE30H10AK | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:TO-252; | ||
NCE3415 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):-20V;额定电流Id(A):-4A;类型:P-Channel;栅 | |
NCE3416 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-23-3; | ||
NCE01P18K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:TO-252-2; | ||
NCE2010E | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):7A;类型:N-Channel;栅源耐 | |
NCE01P30K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):-100V;额定电流Id(A):-30A;类型:P-Channel | |
NCE6075K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2; | ||
NCE82H110D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:TO-263; | ||
NCE60P20K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):-60V;额定电流Id(A):-20A;类型:P-Channel; | |
NCE6602 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):30V;最大导通阻抗Ron(mΩ):36mΩ 10V,3.5A;类 | |
NCE40P70 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
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NCE200ED75VTP | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE3007BS | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE100ED65BT4 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE088N40Q | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE50N540D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
NCEAP038NH40GU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | |
NCEP023NH85AGU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP018NH30AGU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP60P90AK | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品 | |
NCE40ED65VD | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCEA40ED120BT | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | |
NCEA40ED65BT | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | |
NCEP026NH40QU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 |
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