WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD

WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间:2024-10-18 08:10:45

无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。

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型号 品牌 价格 文档 应用 描述
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NCEAP4075GU NCEPOWER 获取价格 双极性晶体管 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF
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NCE75ED65VT4 NCEPOWER 获取价格 双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje
NCE75ED65VT NCEPOWER 获取价格 双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje
NCE75ED120VTP4 NCEPOWER 获取价格 开关双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
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NCE75ED120VT4 NCEPOWER 获取价格 开关双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE70N380T NCEPOWER 获取价格 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
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NCE65N680R NCEPOWER 获取价格 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N680K NCEPOWER 获取价格 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N680I NCEPOWER 获取价格 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N680F NCEPOWER 获取价格 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N680D NCEPOWER 获取价格 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
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NCE50ED65VT NCEPOWER 获取价格 双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje
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NCE40ED120VT NCEPOWER 获取价格 开关双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE3404X NCEPOWER 获取价格 开关 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE3404E NCEPOWER 获取价格 开关 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE
NCE25TD120BD NCEPOWER 获取价格 开关双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
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NCE160ED65VTP4 NCEPOWER 获取价格 双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje
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NCE160ED120VTP4 NCEPOWER 获取价格 开关双极性晶体管 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
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