WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间:2024-10-18 08:10:45
无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
NCEP1580F | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |||
NCEAP4075GU | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | ||
NCEAP020N60GU | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | ||
NCE75ED65VT4 | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCE75ED65VT | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCE75ED120VTP4 | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE75ED120VTP | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE75ED120VT4 | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE70N380T | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE70N290T | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE65N680R | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE65N680K | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE65N680I | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE65N680F | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE65N680D | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE60P82AF | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE60P14K | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE50ED65VT | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCE4614C | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品, | |||
NCE4606C | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品, | |||
NCE40ED65VT | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCE40ED120VT | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE3404X | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE3404E | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE25TD120BD | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE25P60K | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE160ED65VTP4 | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCE160ED65VTP | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCE160ED120VTP4 | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE160ED120VTP | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 热门型号