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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 240 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS135 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
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| BSS135E-6288 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS135E6325 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS135E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS138 | CET |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| BSS138 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS138 | TI |
获取价格 |
220mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| BSS138 | TYSEMI |
获取价格 |
VDS (V) = 50V ID = 0.22 A RDS(ON) 3.5 (VGS = 10V) RDS(ON) 6 (VGS = 4.5V) |
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| BSS138 | PANJIT |
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50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
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| BSS138 | GOOD-ARK |
获取价格 |
50V N-Channel MOSFET |
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