BSS135

更新时间： 2024-02-10 13:07:20

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管
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6页	321K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

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BSS135 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.08 A
最大漏极电流 (ID)：	0.08 A	最大漏源导通电阻：	60 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS135 数据手册

SIPMOS Small-Signal Transistor

BSS 135

● V_DS

● I_D

600 V

0.080 A

● R_DS(on)60 Ω

● N channel

● Depletion mode

● High dynamic resistance

● Available grouped in V_GS(th)

Type

Ordering

Code

Tape and Reel

Information

Pin Configuration Marking Package

BSS 135 Q67000-S237 E6325: 2000 pcs/carton;

Ammopack

SS135

TO-92

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_DS

Values

600

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

V_DGR

V_GS

600

± 14

± 20

0.080

0.24

1.0

Gate-source peak voltage, aperiodic

Continuous drain current, T_A= 42 ˚C

V_gs

I_D

Pulsed drain current,

T_A= 25 ˚C

I_{D puls}

P_tot

Max. power dissipation,

˚C

Operating and storage temperature range

T_j, T_stg

– 55 … + 150

Thermal resistance, chip-ambient

(without heat sink)

R_thJA

≤ 125

K/W

–

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

–

55/150/56

Semiconductor Group

04.97

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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