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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 240 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 4.2 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS131Q62702-S565 | ETC |
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TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET |
|
| BSS131-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSS131-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSS131-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSS135 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
|
| BSS135E-6288 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS135E6325 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS135E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS138 | CET |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| BSS138 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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