Datasheet > BSS129E6296

BSS129E6296

更新时间： 2024-11-25 14:50:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	293K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS129E6296 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	240 V
最大漏极电流 (ID)：	0.15 A	最大漏源导通电阻：	20 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS129E6296 数据手册

BSS 129

SIPMOS Small-Signal Transistor

● V_DS

● I_D

240 V

0.15 A

● R_DS(on)20 Ω

● N channel

● Depletion mode

● High dynamic resistance

● Available grouped in V_GS(th)

Type

Ordering

Code

Tape and Reel

Information

Pin Configuration Marking Package

BSS 129 Q62702-S015 E6288: 1500 pcs/reel;

2 reels/carton; gate first

SS 129

TO-92

BSS 129 Q67000-S116 E6296: 1500 pcs/reel;

2 reels/carton; source first

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_DS

Values

240

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

V_DGR

V_GS

240

± 20

ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883

Continuous drain current, T_A= 37 ˚C

–

Class 1

0.15

0.45

1.0

I_D

Pulsed drain current,

T_A= 25 ˚C

I_{D puls}

P_tot

Max. power dissipation,

Operating and storage temperature range

T_j, T_stg

– 55 … + 150

˚C

Thermal resistance, chip-ambient

(without heat sink)

R_thJA

≤ 125

K/W

–

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

–

55/150/56

Data Sheet

05.99

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与BSS129E6296相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS129E-6325	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS129L-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 230V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS129Q62702-S15	ETC	获取价格	TRANSISTOR MOSFET TO 92 E LINE TO 237
BSS129-TR1	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 230 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92-18CD, 3 PIN, F
BSS131	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
BSS131	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S
BSS131	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.12A, 240V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS131_09	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS131H6327	INFINEON	获取价格	SIPMOSÂ® Small-Signal-Transistor
BSS131H6327XT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET