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BSS131

更新时间: 2024-11-24 22:27:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 134K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

BSS131 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.08
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A最大漏极电流 (ID):0.11 A
最大漏源导通电阻:14 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):4.2 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.36 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSS131 数据手册

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BSS 131  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= 0.8...2.0V  
GS(th)  
Pin 1  
G
Pin 2  
S
Pin 3  
D
Type  
V
I
R
Package  
Marking  
DS  
D
DS(on)  
BSS 131  
240 V  
0.1 A  
16  
SOT-23  
SRs  
Type  
BSS 131  
BSS 131  
Ordering Code  
Q62702-S565  
Q67000-S229  
Tape and Reel Information  
E6327  
E6433  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
240  
V
DS  
DGR  
= 20 k  
R
240  
GS  
±
±
Gate source voltage  
V
V
14  
20  
GS  
gs  
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 26 °C  
0.1  
0.4  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 °C  
0.36  
A
Semiconductor Group  
1
Sep-13-1996  

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