BSS131

更新时间： 2024-01-02 21:05:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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8页	134K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

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BSS131 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.1
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	240 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS131 数据手册

BSS 131

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSS 131

240 V

0.1 A

SOT-23

SRs

Type

BSS 131

Ordering Code

Q62702-S565

Q67000-S229

Tape and Reel Information

E6327

E6433

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

240

DGR

Ω

= 20 k

240

Gate source voltage

Gate-source peak voltage,aperiodic

Continuous drain current

T = 26 °C

0.1

0.4

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

0.36

Semiconductor Group

Sep-13-1996

12 3 4 5 6 7 8

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BSS131 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS131H6327XTSA1	INFINEON	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123LT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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