5秒后页面跳转
BSS127I PDF预览

BSS127I

更新时间: 2023-09-03 20:31:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 1557K
描述
N-沟道增强模式 MOSFET BSS127I 采用 SOT-23-3 封装,其特性为 VDS = 600 V、RDS(on)最大 = 500 Ohm。

BSS127I 数据手册

 浏览型号BSS127I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS127I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS127I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS127I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS127I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS127I的Datasheet PDF文件第7页 

与BSS127I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS127L6327 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127L6327HTSA1 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127L-AE2-R UTC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor
BSS127L-AE3-R UTC

获取价格

0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR
BSS127S DIODES

获取价格

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS127S-7 DIODES

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS127SSN DIODES

获取价格

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET
BSS127V RECTRON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor,
BSS127ZG-AE3-R UTC

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor,
BSS127ZL-AE3-R UTC

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor,