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BSS127L6327HTSA1

更新时间： 2024-02-09 03:08:29

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	251K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BSS127L6327HTSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.6
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	0.021 A
最大漏源导通电阻：	600 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1.5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS127L6327HTSA1 数据手册

Type

BSS127

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V _DS

600

Ω

• n-channel

R _DS(on),max

I _D

500

• enhancement mode

0.021

• Logic level (4.5V rated)

• dv /dt rated

PG-SOT-23

• 100%lead-free; RoHS compliant

• Qualified according to AEC Q101

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Pb-free

Halogen-free Tape and Reel Information

Yes H6327: 3000PCS/reel

Marking

BSS127

PG-SOT-23 Yes

SIs

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

I _D=0.021 A,

Continuous drain current

0.021

0.017

0.09

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

Pulsed drain current

_DS=480 V,

di /dt =200 A/µs,

_j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

kV/µs

Gate source voltage

±20

ESD class (JESD22-A114-HBM)

Power dissipation

0 (<250)

0.50

P _tot

T _A=25 °C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

Rev. 2.01

page 1

2010-05-07

12 3 4 5 6 7...9

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与BSS127L6327HTSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS127L-AE2-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
BSS127L-AE3-R	UTC	获取价格	0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR
BSS127S	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS127S-7	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS127SSN	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET
BSS127V	RECTRON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
BSS127ZG-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
BSS127ZL-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
BSS129	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor(N channel Depletion mode High dynamic resistance)
BSS129E6296	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met