5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSS126E6327
BSS126E6327 PDF预览

BSS126E6327

更新时间： 2024-11-21 14:41:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 253K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSS126E6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.16
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.021 A最大漏极电流 (ID)：0.021 A
最大漏源导通电阻：500 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1.5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS126E6327 数据手册

 浏览型号BSS126E6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS126E6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS126E6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS126E6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS126E6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS126E6327的Datasheet PDF文件第7页 
BSS126  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
600  
700  
V
• N-channel  
• Depletion mode  
R DS(on),max  
I DSS,min  
Ω
0.007 A  
• dv /dt rated  
• Available with VGS(th) indicator on reel  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-SOT-23  
Type  
Package  
Pb-free  
Tape and Reel Information  
Marking  
SHs  
BSS126  
BSS126  
PG-SOT-23 Yes  
PG-SOT-23 Yes  
L6327: 3000 pcs/reel  
L6906: 3000 pcs/reel sorted in V GS(th) bands1)  
SHs  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
Continuous drain current  
0.021  
0.017  
0.085  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
T A=25 °C  
Pulsed drain current  
Reverse diode dv /dt  
Gate source voltage  
I D=0.016 A,  
V
DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
j,max=150 °C  
6
kV/µs  
V
T
±20  
ESD class  
(JESD22-A114-HBM)  
0 (<250V)  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
0.50  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
1) see table on next page and diagram 11  
Rev. 1.6  
page 1  
2009-08-18  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSS126E6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS126E6906 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6327XTSA2 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6906 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126I INFINEON

获取价格

 		英飞凌是少数向全球提供耗尽型晶体管 MOSFET 的制造商之一。应用范围包括供电电源启动电
BSS126L6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor
BSS127 UTC

获取价格

 		0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR
BSS127 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.05A, 600V, 0.61W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS127 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.021 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms;Total Gate Cha

与BSS126E6327相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证