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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 1.59 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.021 A | 最大漏源导通电阻： | 500 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 1.5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS126H6906 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSS126I | INFINEON |
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英飞凌是少数向全球提供耗尽型晶体管 MOSFET 的制造商之一。应用范围包括供电电源启动电 |
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| BSS126L6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSS127 | INFINEON |
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SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor |
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| BSS127 | UTC |
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0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR |
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| BSS127 | BL Galaxy Electrical |
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0.05A, 600V, 0.61W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS127 | RECTRON |
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Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.021 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms;Total Gate Cha |
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| BSS127 | KEXIN |
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N-Channel MOSFET |
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| BSS127_10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSS127G-AE2-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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