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BSS126L6327

更新时间： 2024-01-22 21:20:29
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 253K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS126L6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.15
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.021 A最大漏极电流 (ID)：0.021 A
最大漏源导通电阻：500 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1.5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS126L6327 数据手册

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BSS126  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
600  
700  
V
• N-channel  
• Depletion mode  
R DS(on),max  
I DSS,min  
Ω
0.007 A  
• dv /dt rated  
• Available with VGS(th) indicator on reel  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-SOT-23  
Type  
Package  
Pb-free  
Tape and Reel Information  
Marking  
SHs  
BSS126  
BSS126  
PG-SOT-23 Yes  
PG-SOT-23 Yes  
L6327: 3000 pcs/reel  
L6906: 3000 pcs/reel sorted in V GS(th) bands1)  
SHs  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
Continuous drain current  
0.021  
0.017  
0.085  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
T A=25 °C  
Pulsed drain current  
Reverse diode dv /dt  
Gate source voltage  
I D=0.016 A,  
V
DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
j,max=150 °C  
6
kV/µs  
V
T
±20  
ESD class  
(JESD22-A114-HBM)  
0 (<250V)  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
0.50  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
1) see table on next page and diagram 11  
Rev. 1.6  
page 1  
2009-08-18  
1234567...9

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BSS126L6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS126H6906 INFINEON

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126H6327 INFINEON

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS126 INFINEON

功能相似

 SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor

与BSS126L6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS127 INFINEON

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 		SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor
BSS127 UTC

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 		0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR
BSS127 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.05A, 600V, 0.61W, N Channel, Small Signal MOSFETs
BSS127_10 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS127G-AE2-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
BSS127G-AE3-R UTC

获取价格

 		0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR
BSS127H6327 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSS127H6327XTSA2 INFINEON

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BSS127I INFINEON

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 		N-沟道增强模式 MOSFET BSS127I 采用 SOT-23-3 封装，其特性为 V
BSS127L6327 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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