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BSS125E6288

更新时间： 2024-11-18 14:32:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	76K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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BSS125E6288 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	45 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	6 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS125E6288 数据手册

BSS 125

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• V

= 1.5 ...2.5 V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSS 125

600 V

0.1 A

TO-92

SS125

Type

Ordering Code

Q62702-S021

Q67000-S008

Q67000-S233

Tape and Reel Information

BSS 125

E6288

E6296

E6325

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

600

DGR

Ω

= 20 k

600

Gate source voltage

± 14

Gate-source peak voltage,aperiodic

Continuous drain current

T = 35 °C

0.1

0.4

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

12/05/1997

12 3 4 5 6 7

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