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BSS123W-7 PDF预览

BSS123W-7

更新时间： 2024-11-18 20:08:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 267K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS123W-7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.17 A最大漏极电流 (ID)：0.17 A
最大漏源导通电阻：10 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：6 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS123W-7 数据手册

 浏览型号BSS123W-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS123W-7的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BSS123W  
BSS123W  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
Low Gate Threshold Voltage  
A
SOT-323  
Low Input Capacitance  
D
Dim  
A
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
B
C
B
High Drain-Source Voltage Rating  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2)  
C
G
S
G
H
D
0.65 Nominal  
Mechanical Data  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
K
G
H
M
·
·
Case: SOT-323  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
J
L
D
E
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
Drain  
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
M
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 5, on Page 3  
a
Gate  
All Dimensions in mm  
·
·
·
Marking: Date Code and Type Code, See Page 3  
Type Code: K23  
Source  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
100  
Units  
V
V
V
Drain-Source Voltage  
VDGR  
100  
Drain-Gate Voltage RGS £ 20KW  
Gate-Source Voltage  
VGSS  
Continuous  
±20  
ID  
IDM  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
170  
680  
mA  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at  
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30368 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
BSS123W  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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BSS123W-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS123W-7-F DIODES

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