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BSS123NH6433XTMA1

更新时间： 2024-01-11 19:51:13

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	573K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS123NH6433XTMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.52	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.19 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	3.1 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS123NH6433XTMA1 数据手册

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BSS123N

OptiMOS^™Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V_DS

100

• N-channel

R_DS(on),max

V_GS=10 V

V_GS=4.5 V

• Enhancement mode

• Logic level (4.5V rated)

I_D

0.19

• Avalanche rated

• Qualified according to AEC Q101

• 100% lead-free; RoHS compliant, Halogen free

PG-SOT23

Marking

SAs

Type

Package

SOT23

Tape and Reel Information

H6327: 3000 pcs/ reel

Halogon Free

Yes

Packing

Non dry

BSS123N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

0.19

0.15

0.77

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=0.19 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

2.0

I _D=0.19 A, V _DS=80 V,

di /dt =200 A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±20

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

0.5

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

ESD Class

-55 ... 150

0 (<250V)

260 °C

JESD22-A114 -HBM

Soldering Temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

55/150/56

Rev 2.3

page 1

2012-11-21

12 3 4 5 6 7...9

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与BSS123NH6433XTMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS123Q	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS123-Q1	ANBON	获取价格	SOT-23
BSS123Q-13-F	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS123Q62702-S512	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET
BSS123Q-7-F	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS123T	YANGJIE	获取价格	SOT-723
BSS123T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 3 PIN, FET Ge
BSS123T1	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123T2	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123TA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met