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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS123TA | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS123TC | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS123TRL | NXP |
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TRANSISTOR 150 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSS123TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 150 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSS123W | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS123W | YANGJIE |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| BSS123W | ONSEMI |
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N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 100V，0.17A，6Ω |
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| BSS123W | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| BSS123W | BL Galaxy Electrical |
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0.17A, 100V, 0.2W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS123W | ANBON |
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SOT-323 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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