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2N7002/S62Z

更新时间： 2024-02-20 07:03:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	197K
描述
115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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2N7002/S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.115 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7002/S62Z 数据手册

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与2N7002/S62Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002/T3	NXP	TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3,	获取价格
2N7002_	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_04	SUPERTEX	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_07	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7002_07	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
2N7002_08	BL Galaxy Electrical	Small Signal MOSFET Transistor	获取价格

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