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2N7002/T3

更新时间： 2024-01-30 23:26:09

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	153K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

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技术参数
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2N7002/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002/T3 数据手册

2N7002

T23

60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 7 — 8 September 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Suitable for logic level gate drive

 Surface-mounted package

 Trench MOSFET technology

sources

 Very fast switching

1.3 Applications

 Logic level translators

 High-speed line drivers

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

I_D

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C; see Figure 1;

see Figure 3

300

P_tot

total power dissipation T_sp= 25 °C; see Figure 2

0.83

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA; T_j= 25 °C;

see Figure 6; see Figure 8

2.8

Ω

2. Pinning information

Table 2.

Pinning information

Symbol Description

Simplified outline

Graphic symbol

gate

source

drain

mbb076

SOT23 (TO-236AB)

12 3 4 5 6 7...13

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与2N7002/T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002_	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_04	SUPERTEX	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_07	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7002_07	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
2N7002_08	BL Galaxy Electrical	Small Signal MOSFET Transistor	获取价格
2N7002_09	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格