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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.3 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MMBF170-7-F | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170-D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170G-AE2-R | UTC |
获取价格 |
0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170L | MOTOROLA |
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500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN |
|
| MMBF170L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170-L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170L-AE2-R | UTC |
获取价格 |
0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS FET Transistor |
|
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