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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBF170-7
MMBF170-7 PDF预览

MMBF170-7

更新时间： 2024-02-22 19:06:36
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBF170-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：0.79其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.5 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.3 W认证状态：Not Qualified
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBF170-7 数据手册

 浏览型号MMBF170-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBF170-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBF170-7的Datasheet PDF文件第4页 
SPICE MODELS: MMBF170  
MMBF170  
Lead-free Green  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance  
A
SOT-23  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
D
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
Fast Switching Speed  
B
C
B
Low Input/Output Leakage  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
TOP VIEW  
G
S
C
D
G
E
D
H
Mechanical Data  
·
·
E
K
Case: SOT-23  
M
G
H
J
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
J
Drain  
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
K
L
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
M
Gate  
a
·
·
·
Marking: (See Page 2) K6Z  
All Dimensions in mm  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
Source  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
MMBF170  
Units  
60  
60  
V
V
Drain-Source Voltage  
VDGR  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±40  
VGSS  
ID  
V
500  
800  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
mA  
300  
1.80  
mW  
mW/°C  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
417  
K/W  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Note: 1. Device mounted on FR-5 PCB 1.0 x 0.75 x 0.062 inch pad layout as shown on Diodes, Inc. suggested pad layout AP02001,  
which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30104 Rev. 8 - 2  
1 of 4  
MMBF170  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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MMBF170-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BS170FTA DIODES

类似代替

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
MMBF170-7-F DIODES

类似代替

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7 DIODES

类似代替

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与MMBF170-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBF170-7-F DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
MMBF170D87Z TI

获取价格

 		500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF170-D87Z TI

获取价格

 		500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF170G-AE2-R UTC

获取价格

 		0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
MMBF170L MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBF170L99Z TI

获取价格

 		500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF170-L99Z TI

获取价格

 		500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF170L-AE2-R UTC

获取价格

 		0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
MMBF170LT1 MOTOROLA

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 		TMOS FET Transistor
MMBF170LT1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 500 mA, 60 V

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