BS170FTA

更新时间： 2024-11-16 12:52:03

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美台 - DIODES		晶体晶体管光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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BS170FTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	0.64
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.00015 A	最大漏极电流 (ID)：	0.15 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BS170FTA 数据手册

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

BS170F

ISSUE 3 - J ANUARY 1996

FEATURES

60Volt V_DS

R_DS(ON)= 5Ω

PARTMARKING DETAIL – MV

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

0.15

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

330

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce

Bre akd o w n Vo ltag e

BV_{DS S}

I_D=100µA, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=15V, V_DS=0V

V_DS=25V, V_GS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

0.5

µA

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

V_GS=10V, I_D=200m A

V_DS=10V, I_D=200m A

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

200

m S

p F

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

V_DS=10V, V_GS=0V,

f=1MHz

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_{d (o ff)}

n s

V_DD≈-15V, I_D=600m A

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

For typical characteristics graphs refer to ZVN3306F datasheet.

3 - 54

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BS170FTA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DMG6968U-7	DIODES	类似代替	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZVP1320FTA	DIODES	类似代替	200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET IN SOT23
MMBF170-7-F	DIODES	类似代替	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与BS170FTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS170FTC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BS170G	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
BS170J05Z	TI	获取价格	500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BS170J05Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170J18Z	TI	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose S
BS170-J18Z	TI	获取价格	500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BS170J35Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170J60Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170J61Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170KL	VISHAY	获取价格	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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