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BS170J35Z

更新时间： 2024-11-16 20:53:51

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1256K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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BS170J35Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BS170J35Z 数据手册

March 2009

BS170 / MMBF170

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

General Description

These N-Channel enhancement mode field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. These products have been

designed to minimize on-state resistance while provide

rugged, reliable, and fast switching performance. They can

be used in most applications requiring up to 500mA DC.

These products are particularly suited for low voltage, low

current applications such as small servo motor control,

power MOSFET gate drivers, and other switching

applications.

■ High density cell design for low R_DS(ON)

■ Voltage controlled small signal switch.

■ Rugged and reliable.

■ High saturation current capability.

TO - 92

SOT - 23

Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

BS170

MMBF170

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_DGR

V_GSS

I_D

Drain-Gate Voltage (R_GS≤ 1MΩ)

Gate-Source Voltage

± 20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

500

800

1200

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

- 55 to 150

300

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds

Thermal Characteristics T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

BS170

MMBF170

Units

P_D

Maximum Power Dissipation

Derate above 25°C

830

6.6

300

2.4

mW/°C

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

150

417

°C/W

BS170 / MMBF170 Rev. E1

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS170J60Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170J61Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170KL	VISHAY	获取价格	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
BS170KL-TR1	VISHAY	获取价格	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
BS170KL-TR1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BS170L	CALOGIC	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor
BS170LN	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170LNOPTION1	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170LNOPTION2	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170LNOPTION3	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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