是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 0.79 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.5 A | 最大漏源导通电阻: | 5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 5 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DMG6968U-7 | DIODES |
类似代替 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZVP1320FTA | DIODES |
类似代替 |
200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET IN SOT23 | |
ZVN3320FTA | DIODES |
类似代替 |
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBF170D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
MMBF170-D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
MMBF170G-AE2-R | UTC |
获取价格 |
0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MMBF170L | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN | |
MMBF170L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
MMBF170-L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
MMBF170L-AE2-R | UTC |
获取价格 |
0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MMBF170LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS FET Transistor | |
MMBF170LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 500 mA, 60 V | |
MMBF170LT1_08 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 |