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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170/S62Z | TI |
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500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| MMBF170_08 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MMBF170_1 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| MMBF170-13-F | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MMBF170-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MMBF170-7-F | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170-D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| MMBF170G-AE2-R | UTC |
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0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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