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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170/L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| MMBF170/S62Z | TI |
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500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| MMBF170_08 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170_1 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| MMBF170-13-F | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MMBF170-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MMBF170-7-F | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MMBF170D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| MMBF170-D87Z | TI |
获取价格 |
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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