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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MBT3904DW1T3G
MBT3904DW1T3G PDF预览

MBT3904DW1T3G

更新时间： 2024-11-15 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器PC光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
双 NPN 双极晶体管

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MBT3904DW1T3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.54Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225037
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：SC-88(SOT-363) CASE 419B-02 ISSUE Y
Samacsys Released Date：2015-08-06 07:49:50Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MBT3904DW1T3G 数据手册

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MBT3904DW1T1G,  
MBT3904DW2T1G,  
SMBT3904DW1T1G  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
The MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are a  
spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is  
designed for general purpose amplifier applications and is housed in  
the SOT−363 six−leaded surface mount package. By putting two  
discrete devices in one package, this device is ideal for low−power  
surface mount applications where board space is at a premium.  
MARKING  
DIAGRAM  
6
SOT−363/SC−88/  
SC70−6  
XX MG  
6
G
CASE 419B  
Features  
1
1
• h , 100−300  
FE  
XX=MA for MBT3904DW1T1G  
MJ for MBT3904DW2T1G  
M =Date Code  
• Low V  
, ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
• Simplifies Circuit Design  
G
= Pb−Free Package  
• Reduces Board Space  
(Note: Microdot may be in either location)  
• Reduces Component Count  
• Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
Q
1
2
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
(4)  
(5)  
(6)  
MBT3904DW1T1  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
(3)  
(2)  
(1)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
Vdc  
Q
2
Q
1
6.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
Electrostatic Discharge  
I
200  
mAdc  
C
ESD  
HBM Class 2  
MM Class B  
(4)  
(5)  
(6)  
MBT3904DW2T1  
STYLE 27  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Rat-  
ings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Op-  
erating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Re-  
commended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Shipping  
Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
MBT3904DW1T1G  
3000 /  
Tape & Reel  
SOT−363  
(Pb−Free)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Package Dissipation (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
150  
mW  
D
SMBT3904DW1T1G SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
833  
°C/W  
°C  
q
JA  
MBT3904DW2T1G  
3000 /  
Tape & Reel  
SOT−363  
(Pb−Free)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
recommended footprint.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
October, 2012 − Rev. 9  
MBT3904DW1T1/D  
 
12345678

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MBT3904DW1T3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBT3904DW1T1 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistors
SMBT3904S INFINEON

类似代替

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MBT3904DW1T1G ONSEMI

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