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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G PDF预览

MBT3906DW1T1G

更新时间： 2024-11-22 22:45:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器PC
页数 文件大小 规格书
6页 104K
描述
Dual General Purpose Transistor

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MBT3906DW1T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.63Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225038
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：SC-88 SC70-6 SOT-363 CASE 719B-02
Samacsys Released Date：2015-08-06 07:52:16Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MBT3906DW1T1G 数据手册

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MBT3906DW1T1  
Dual General Purpose  
Transistor  
The MBT3906DW1T1 device is a spin−off of our popular  
SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general  
purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363  
six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in  
one package, this device is ideal for low−power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Features  
Q
• h , 100−300  
1
2
FE  
• Low V , ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
(4)  
(5)  
(6)  
• Reduces Component Count  
• Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel  
• Pb−Free Package is Available  
1
MAXIMUM RATINGS  
SOT−363/SC−88  
CASE 419B  
STYLE 1  
Rating  
Symbol  
Value  
−40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
−40  
CBO  
EBO  
V
−5.0  
−200  
MARKING DIAGRAM  
Collector Current − Continuous  
Electrostatic Discharge  
I
C
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
6
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
d
A2  
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
A2 = Device Code  
d
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
= Date Code  
Total Package Dissipation (Note 1)  
P
D
150  
mW  
T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
833  
°C/W  
°C  
q
JA  
†
Device  
MBT3906DW1T1  
Package  
Shipping  
SOT−363  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
MBT3906DW1T1G SOT−363  
(Pb−Free)  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
recommended footprint.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
January, 2005 − Rev. 1  
MBT3906DW1T1/D  
 
123456

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MBT3906DW1T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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