是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SC-88 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.57 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 225040 |
Samacsys Pin Count: | 6 | Samacsys Part Category: | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category: | SOT23 (6-Pin) | Samacsys Footprint Name: | SC-88(SOT-363) CASE 419B-02 |
Samacsys Released Date: | 2015-08-06 09:23:47 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN AND PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | BIP General Purpose Small Signal |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 300 MHz |
最大关闭时间(toff): | 250 ns | 最大开启时间(吨): | 70 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MBT3946DW1T1G | ONSEMI |
完全替代 |
Dual General Purpose Transistor | |
MBT3946DW1T2 | ONSEMI |
类似代替 |
Dual General Purpose Transistor | |
MMDT3946-7-F | DIODES |
功能相似 |
COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBT5010 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER | |
MBT5012 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER | |
MBT5014 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER | |
MBT5016 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER | |
MBT5401 | ETC |
获取价格 |
SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR | |
MBT5SS | ETC |
获取价格 |
Features & Benefits | |
MBT6429DW1T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors | |
MBT6429DW1T1_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors NPN Silicon | |
MBT6429DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors | |
MBT6517LT1 | WINNERJOIN |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |