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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-88 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMDT3946-TP | MCC |
类似代替  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| MBT3946DW1T2G | ONSEMI |
类似代替 |
Dual General Purpose Transistor |
|
| MBT3946DW1T1G | ONSEMI |
类似代替 |
Dual General Purpose Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBT3946DW1T2G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistor |
|
| MBT5010 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER |
|
| MBT5012 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER |
|
| MBT5014 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER |
|
| MBT5016 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER |
|
| MBT5401 | ETC |
获取价格 |
SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| MBT5SS | ETC |
获取价格 |
Features & Benefits |
|
| MBT6429DW1T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors |
|
| MBT6429DW1T1_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors NPN Silicon |
|
| MBT6429DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors |
|
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