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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MBT3946DW1T2
MBT3946DW1T2 PDF预览

MBT3946DW1T2

更新时间： 2024-11-22 22:20:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 172K
描述
Dual General Purpose Transistor

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MBT3946DW1T2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MBT3946DW1T2 数据手册

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MBT3946DW1T1  
Dual General Purpose  
Transistor  
The MBT3946DW1T1 device is a spin−off of our popular  
SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general  
purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363−6  
surface mount package. By putting two discrete devices in one  
package, this device is ideal for low−power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• h , 100−300  
FE  
Q
• Low V , ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
1
2
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
(4)  
(5)  
(6)  
• Reduces Component Count  
• Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel  
• Device Marking: MBT3946DW1T1 = 46  
MBT3946DW1T1*  
*Q1 PNP  
Q2 NPN  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
Pb−Free Lead Finish  
6
5
4
MAXIMUM RATINGS  
1
2
3
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
V
V
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
SOT−363−6/SC−88  
CASE 419B  
Style 1  
(NPN)  
(PNP)  
40  
−40  
Collector−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
(NPN)  
(PNP)  
60  
−40  
MARKING  
DIAGRAM  
Emitter−Base Voltage  
(NPN)  
(PNP)  
6.0  
−5.0  
Collector Current − Continuous  
I
C
(NPN)  
(PNP)  
200  
−200  
d
46  
Electrostatic Discharge  
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
46 = Specific Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
d
= Date Code  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Package Dissipation (Note 1)  
P
D
150  
mW  
T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance  
Junction−to−Ambient  
R
833  
°C/W  
°C  
†
q
JA  
Device  
Package  
Shipping  
MBT3946DW1T1 SOT−363 3000/Tape & Reel  
MBT3946DW1T1G SOT−363 3000/Tape & Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
recommended footprint.  
MBT3946DW1T2 SOT−363 3000/Tape & Reel  
MBT3946DW1T2G SOT−363 3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 2  
MBT3946DW1T1/D  
 
1234567...12

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MBT3946DW1T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDT3946-TP MCC

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